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著录信息

  • 专利名称：3300伏平面非穿通型绝缘栅极晶体管芯片
  • 专利类型：实用新型
  • 申请号：CN201120255381.X
  • 公开(公告)号：CN202217666U
  • 申请日：20110719
  • 公开(公告)日：20120509
  • 申请人：天津中环半导体股份有限公司
  • 发明人：刘闯,饶祖刚
  • 申请人地址：300384 天津市滨海新区新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰东路12号
  • 申请人区域代码：CN120116
  • 专利权人：天津中环半导体股份有限公司
  • 洛迦诺分类：无
  • IPC：H01L29/739,H01L29/06
  • 优先权：无
  • 专利代理机构：天津中环专利商标代理有限公司 12105
  • 代理人：莫琪
  • 审查员：无
  • 国际申请：无
  • 国际公开(公告)：无
  • 进入国家日期：无
  • 分案申请：无

关键词

终端,绝缘栅极晶体管,简化制造工艺,中子辐照掺杂,掺杂浓度,扩展技术,浓度分布,寿命分布,芯片面积,抛光片,单晶,元胞,芯片,扩散
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